三星美国半导体投资缩水,取消先进封装,2nm成焦点?

   时间:2024-12-26 11:08 来源:ITBEAR作者:冯璃月

近日,美国商务部正式揭晓了《CHIPS》法案激励计划的最新动态,宣布将向符合条件的申请者提供总计47.45亿美元(折合人民币约346.37亿元)的直接资金支持。这一数字相较于今年4月初步条款备忘录中提出的64亿美元,减少了超过四分之一。

在审视了相关文件后,不难发现,三星电子对于在美国半导体领域的投资计划也进行了调整。从最初承诺的“超过400亿美元”的投资规模,下调至如今的“超过370亿美元”。同时,项目的具体细节也有所变动。

原本,三星电子计划在得克萨斯州泰勒市建设一座集3D HBM和2.5D封装技术于一体的先进封装设施。然而,在最终达成的协议中,这一部分内容被悄然删除。泰勒市原本规划中的两座先进制程工厂,原定的生产目标是4nm和2nm制程技术。但在最新协议中,仅提及了2nm制程技术的量产计划。

这一系列变动不仅影响了项目的整体规模,还直接关联到所能提供的高薪制造业工作岗位和建筑工作机会的数量。与4月时的数据相比,高薪制造业工作岗位从4500多个减少到了3500多个,建筑工作机会也从超过17000个降至约12000个。

从目前的调整来看,三星电子在美国的先进制程产能将更加聚焦于下一代尖端节点,即2nm制程技术,而非当前已相对成熟稳定的4nm制程。同时,三星也暂时搁置了在美国提供先进制程与先进封装“一站式”服务的计划。

面对这一系列调整,三星电子新任foundry负责人韩真晚表示,当前该部门最为关键的任务是实现2nm制程技术的快速爬坡,特别是良率的提升。韩真晚强调,更出色的工艺质量将有助于泰勒市的2nm工厂赢得美国本土无晶圆厂设计企业的青睐。

 
 
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