近期，据韩国科技媒体SE Daily报道，三星电子在DRAM内存技术领域的战略规划有了新的动向。据业内人士透露，三星电子内部已经制定了一项路线图，计划在第七代10nm级DRAM内存工艺（即1d nm）之后，引入VCT（垂直通道晶体管）技术。
据了解，三星电子在决定下一代DRAM工艺方向时，曾在1e nm和VCT DRAM两种方案之间犹豫不决。最终，三星电子选择了VCT DRAM这一被认为具有“颠覆性”潜力的技术路径，并将原本致力于1e nm技术研究的团队整合到了1d nm团队中，以加速1d nm技术的研发进程。
尽管VCT DRAM技术通过充分利用三维空间，有望大幅提升存储密度，但其开发难度也不容小觑。该技术不仅需要突破传统内存技术的限制，还需要采用目前尚未在DRAM中应用的先进封装工艺，这无疑为三星电子的研发团队带来了巨大的挑战。
与此同时，三星电子在DRAM业务领域的最大竞争对手SK海力士也在积极规划其未来技术路径。据透露，SK海力士的大致规划是从1d nm技术过渡到0a nm技术，并最终实现其所谓的VG DRAM（即3D DRAM）的商业化。SK海力士的这一规划显示出其在DRAM技术领域的持续创新和进取。
