【中文科技资讯】10月20日消息，近日在由三星主办的2023年欧洲三星代工论坛(SFF)上，各种令人瞩目的代工解决方案闪亮登场，从先进的2纳米工艺到传统的8英寸工艺无一不在焕发光彩。尤其引人注目的是，三星展示了其正在研发中的首款5纳米eMRAM车用存储技术。
eMRAM，即嵌入式磁阻随机访问存储器，被视为汽车应用领域的下一代存储半导体，具备卓越的高速读写性能以及耐热性。据中文科技资讯了解，自2019年三星首次推出基于28纳米FD-SOI工艺的eMRAM以来，该公司一直在不断探索技术的边界，逐步升级至AEC-Q100 Grade 1认证标准的FinFET工艺14纳米工艺。
此次三星电子披露了其未来的技术发展路线图，计划在2024年实现14纳米工艺eMRAM的量产，接着在2026年实现8纳米工艺eMRAM的量产，再在2027年实现5纳米工艺eMRAM的量产。与14纳米工艺相比，三星的8纳米eMRAM有望提升存储密度高达30%，同时将速度提升33%。
三星还强调，他们采用了深沟槽隔离(DTI)技术，有效缩小了晶体管之间的距离，最大限度地提升了功率半导体的性能表现。此外，为了更好地满足广泛的应用需求，三星代工工厂将采用更大的电压，从当前的70V提升至120V，同时也准备在2025年之前推出实现120V至130纳米BCD工艺的工艺开发套件(PDK)，为技术创新提供更强有力的支持。
