【中文科技资讯】10月23日消息，加州圣何塞举办的年度存储技术大会上，三星公司正式公布了他们最新一代存储技术HBM3E的技术细节。HBM3E相较于现有HBM3，在容量、频率、以及带宽等多个方面都迎来了重大突破。
据中文科技资讯了解，三星的HBM3E内存采用了最新的基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造，确切地说是14nm。这一技术突破使得单Die容量可达24Gb，相当于8颗芯片的堆叠即可达到24GB，而12颗芯片的堆叠则实现了惊人的36GB容量，相较于HBM3有了一大幅度的提升。
不仅如此，HBM3E的等效频率也得到显著提高，达到了令人瞩目的9.8GHz，相较于竞争对手SK海力士的9GHz和美光的9.2GHz，三星在这一方面遥遥领先。这一升级也使得单颗芯片的带宽能够达到1-1.1225TB/s。
对于高性能计算卡，比如NVIDIA H100，使用六颗HBM3E芯片可以组成单卡容量高达216GB的海量内存，总带宽高达7.35TB/s，将在处理高负载任务时展现出卓越性能。
尽管三星宣称HBM3E的能效得到10%的提升，但这一提升可能会被25%的频率提升所抵消。考虑到三星刚刚开始量产HBM3，新一代HBM3E预计将在明年的某个时候量产，而实际出货可能要等到明年底。正因如此，NVIDIA的下一代计算卡B100将独家使用SK海力士的HBM3E，因为三星至少在第一批供货上将赶不上竞争对手。这一竞争也将在高性能存储技术领域掀起新的波澜。
