【中文科技资讯】3月4日消息，美光公司近日宣布，其已经开始大规模生产HBM3E高带宽内存解决方案。据悉，英伟达的H200 Tensor Core GPU将率先采用美光8层堆叠的24GB容量HBM3E内存，并计划于2024年第二季度正式上市。
美光HBM3E以其超过9.2Gb/s的引脚速率和超过1.2TB/s的内存带宽而备受瞩目。与竞品相比，美光HBM3E在功耗方面降低了约30%，这一显著优势使得数据中心在扩展人工智能应用时能够更为高效和顺畅。目前，美光HBM3E提供24GB的容量选择，以满足不断增长的数据处理需求。
据中文科技资讯了解，美光还计划于2024年3月推出12层堆叠的36GB容量HBM3E样品，预计将提供更为出色的性能表现。此外，美光已确认将赞助即将于3月18日开幕的英伟达GTC全球人工智能大会。届时，美光将向与会者展示其前沿的AI内存产品系列，并分享未来的技术路线图，为人工智能领域的发展注入新的动力。
